用于自由空間耦合THZ發(fā)射器和探測(cè)器

THZ發(fā)射極和THZ探測(cè)器由一個(gè)在砷化鎵基片上制作的微帶光電導(dǎo)天線（PCA）組成。根據(jù)泵浦激光波長(zhǎng)，低溫生長(zhǎng)的砷化鎵（lt-gaas）或Gabias用作光電導(dǎo)體。表面采用普通金屬化工藝形成共面赫茲偶極天線結(jié)構(gòu)。光電導(dǎo)天線的幾何結(jié)構(gòu)，以及光電導(dǎo)外延層的特性都經(jīng)過了優(yōu)化，以獲得最高的THZ輻射輸出效率，同時(shí)保持最佳的帶寬。因此，當(dāng)輸出功率為30 mW且脈沖持續(xù)時(shí)間小于150 fs時(shí)，典型的THZ輻射功率超過10μ W。探測(cè)系統(tǒng)的帶寬超過700千兆赫，可用光譜范圍為0.1-5太赫茲。

特點(diǎn)
? ?基于LT-GaAs or GaBiAs光導(dǎo)材料
? ?優(yōu)化波長(zhǎng)為800 nm或1060 nm左右
? ?光譜范圍寬，噪音低
? ?亞皮秒時(shí)間分辨率
? ?包括技術(shù)護(hù)照和測(cè)試報(bào)告 
應(yīng)用
? ?時(shí)間分辨寬帶太赫茲光譜
? ?光泵-THZ探針光譜法
? ?THZ成像

太赫茲透鏡由高密度硅制成，安裝在X-Y級(jí)。Teravil提供兩種標(biāo)準(zhǔn)類型的透鏡：用于準(zhǔn)直或發(fā)散THZ光束輸出。在第二種情況下，PCA被放置在硅透鏡的再生點(diǎn)，這可以減少THZ光束的球面像差。

THZ發(fā)射器或探測(cè)器由面板側(cè)的激光束照亮。激光束必須聚焦在兩個(gè)電極之間（圖1）。金屬觸點(diǎn)之間的間隙類似于探測(cè)器外殼中的激光光斑直徑，而發(fā)射器外殼中的激光光斑直徑更大。 THZ輻射由集成透鏡收集。

調(diào)整螺釘用于將硅透鏡定位到PCA中心。外殼背面的SMA插座用于將直流或交流偏壓連接到THZ發(fā)射器，并將鎖定放大器輸入連接到THZ檢測(cè)器。三個(gè)M6孔中的任何一個(gè)可用于安裝在光學(xué)臺(tái)上的THZ發(fā)射器。

自由空間太赫茲發(fā)射器（太赫茲光電導(dǎo)天線）

自由空間的太赫茲發(fā)射器由一個(gè)光電導(dǎo)天線和高阻硅透鏡封裝而成。我們通常使用低溫生產(chǎn)的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作為光電導(dǎo)材料。不同的光電導(dǎo)材料適用于不同的激發(fā)波長(zhǎng)。

太赫茲發(fā)射天線參數(shù)規(guī)格

LT-GaAs天線	GaBiAs天線
激發(fā)功率：<50mW, 典型值30mW	激發(fā)功率：<20mW
偏置電壓：<50V, 典型值40V	偏置電壓：<50V，典型值40V
集成高阻硅透鏡	集成高阻硅透鏡
激發(fā)波長(zhǎng)：800±40nm	激發(fā)波長(zhǎng)：1060±40nm
封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm	封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm

自由空間太赫茲探測(cè)器（太赫茲光電導(dǎo)天線）

太赫茲探測(cè)天線參數(shù)規(guī)格

LT-GaAs天線	GaBiAs天線
激發(fā)功率：<50mW	激發(fā)功率：<20mW
集成預(yù)放大器	集成預(yù)放大器
集成高阻硅透鏡	集成高阻硅透鏡
探測(cè)太赫茲帶寬：5THz@100fs激光脈寬	探測(cè)太赫茲帶寬：5THz@70fs激光脈寬
太赫茲頻譜峰值位置：400GHz	太赫茲頻譜峰值位置：400GHz
激發(fā)波長(zhǎng)：800±40nm	激發(fā)波長(zhǎng)：1060±40nm
封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm	封裝XY二維調(diào)節(jié)架，調(diào)節(jié)范圍±3mm

產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格

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